中新網(wǎng)北京9月2日電 (記者 魏晞)2日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking®架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存——即每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位、每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。作為中國(guó)首款64層3DNAND閃存，該產(chǎn)品將亮相中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)(ICChina2019)紫光集團(tuán)展臺(tái)。

2日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking®架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。　長(zhǎng)江存儲(chǔ) 攝

Xtacking®技術(shù)的研發(fā)成功和64層3D NAND閃存的批量生產(chǎn)標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功走出了一條高端芯片設(shè)計(jì)制造的創(chuàng)新之路。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking®架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度，可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking®技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking®可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

作為集成器件制造商，長(zhǎng)江存儲(chǔ)致力于為全球客戶提供完整的存儲(chǔ)解決方案及服務(wù)，并計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備制造商的需求。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華表示，通過(guò)將Xtacking®架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開(kāi)發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展。“隨著5G，人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來(lái)，閃存市場(chǎng)的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3DNAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)健康發(fā)展注入新動(dòng)力。”(完)